50W 100W 150W 755nm 808nm 1064nm 레이저 다이오드 쌓인 발사자 레이저 다이오드 바 칩 IPL 레이저 장비 및 생의학용

출력 전력: 500/600/800W

파장: 755/808/1064 ± 10 nm

사용 전류: 90 ~ 95 a

작동 전압: 9 ~ 10 /10.8 ~ 12 /14.4~16 v

출력 전력: 800 ° (50)/1000 (50)/1200 − (100)/1600 − (100) w

파장: 755/808/1064 ± 10 nm

사용 전류: 45-50/ 45-50/95-100/95-100 A

작동 전압: 1.8V/바 v

출력 파장: 808/1064/755/940 옵션 NM

파장: 808/1064/755/940 옵션 ± 15nm

사용 전류: ≤120 전형적인 값 95 a

작동 전압: 1.8V/바 v

출력 파장: 1064nm

파장: 1064 ± 3 nm

사용 전류: ≤25 a/≤30 a

작동 전압: ≤18 V/≤24 v

출력 전력: 500/600/800 w

파장: 755/808/1064 ± 10 nm

사용 전류: 45-50 a

작동 전압: 18 ~ 20 v